Dioda pojemnościowa

Poza własnościami prostowniczymi złącze p-n cechuje się jeszcze jedną specyficzną własnością - wykazuje ono istnienie pojemności. Wartość tej pojemności jest zależna od wartości napięcia Ur. Obszar ładunku przestrzennego można w dużym uproszczeniu traktować jako elektrody kondensatora „rozsuwające" się przy wzroście napięcia Ur. Własność ta jest wykorzystana w budowie diod pojemnościowych. Zakres zmian pojemności jest wyznaczony napięciami granicznymi Urmin (w pobliżu O V) i Urmax w pobliżu napięcia przebicia. Podstawowe parametry charakteryzują pojemność znamionową Cr dla określonego napięcia Ur oraz zakres zmian pojemności. Schemat zastępczy diody pojemnościowej stanowi w uproszczeniu połączenie równoległe pojemności Cr wraz z rezystancją Rs i Rr.

Wartości te określają własności częstotliwościowe diody, ze względu na to, że diody pojemnościowe stosuje się głównie obwodach rezonansowych istotnym parametrem jest stabilność temperaturowa pojemności, definiowana jako względna zmiana pojemności na jeden K.

 

Dioda Zenera

W diodach Zenera jest wykorzystywane zjawisko lawinowego narastania prądu w pobliżu maksymalnego napięcia wstecznego. Specjalna technologia tych diod sprawia, że zjawisko przebicia jest powtarzalne i nie prowadzi do zniszczenia diody, jeżeli nie zostanie przekroczona wartość dopuszczalna prądu wstecznego, zwanego w tym przypadku prądem Zenera - Iz. Wartość napięcia,

Dioda prostownicza

Podstawową cechą złącza p-n są jego właściwości prostownicze, polegające na przewodzeniu prądu o znaczącej w praktyce wartości w jednym kierunku. Jeśli do diody przyłożymy napięcie zmienne, to dla połówek dodatnich dioda będzie przewodzić, dla ujemnych połówek stanowić będzie bardzo dużą rezystancję. Rezystancja w kierunku przewodzenia jest niewielka. Rozróżniamy pr